SiC MOSFET 分立器件
碳化硅 MOSFET 具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，在電力電子系統中應用碳化硅 MOSFET 器件替代傳統硅 IGBT 器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。主要適用于：光伏逆變、儲能、工業電源、新能源汽車、電機驅動、充電樁等領域。
宏微碳化硅 MOSFET 分立器件具有低開關損耗、高工作結溫、低導通電阻等特點，產品具備足夠的魯棒性。
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VDSS (V)
-
1200
重置篩選
-
-
ID (A)
-
50
重置篩選
-
-
RDS(on) (mΩ)
-
40
重置篩選
-
-
QGD (nC)
-
25
重置篩選
-
-
VGS,op (V)
-
-4/+18
重置篩選
-
-
Qrr (nC)
-
430
重置篩選
-
-
Trr (ns)
-
17.5
重置篩選
-
-
Tjmax
-
175℃
重置篩選
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Qualification
-
Industrial
重置篩選
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-
Packages
-
TO-247-4L
重置篩選
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Type
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VDSS (V)
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ID (A)
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RDS(on) (mΩ)
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QGD (nC)
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VGS,op (V)
|
Qrr (nC)
|
Trr (ns)
|
Tjmax
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Qualification
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Packages
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篩選
重置篩選 |
篩選
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篩選
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篩選
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篩選
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